管式真空氣氛爐哪家好源頭廠家!新品(2024更新成功)(今日/服務(wù)),你的滿意,我的追求;先進(jìn)的技術(shù),可靠的質(zhì)量,周到的服務(wù)是我們的承諾。
管式真空氣氛爐哪家好源頭廠家!新品(2024更新成功)(今日/服務(wù)), 此時(shí)次生沉淀粒子的長(zhǎng)大能力主要取決于次生沉淀相表面結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,而這時(shí)3種含Sc的Al-0.2(Sc,Yb)-0.04Zr合金次生沉淀相的表面結(jié)構(gòu)類似,這應(yīng)是3種合金時(shí)效峰溫相同的主要原因。由于Yb原子量遠(yuǎn)大于Sc原子量,隨著Yb含量增加(Sc含量減少),且Yb在Al中的大固溶度僅為0.15%,合金中過(guò)飽和Sc、Zr、Yb原子總數(shù)減少,峰時(shí)效時(shí)析出的次生沉淀數(shù)目將減少。
熔池熔煉是20世紀(jì)70年始在工業(yè)上應(yīng)用。由于熔池熔煉過(guò)程中的傳熱與傳質(zhì)效果好,可大大強(qiáng)化冶金過(guò)程,達(dá)到了提高設(shè)備生產(chǎn)率和降低冶煉過(guò)程能耗的目的。而且對(duì)爐料的要求不高,各種類型的精礦,干的、濕的、大粒的、粉狀的都適用,爐子容積小,熱損失小,節(jié)能環(huán)保都比較好,特別是煙塵率明顯低于閃速熔煉。 表1 主要煉銅工藝匯總表表2 主要煉銅工藝對(duì)比表3 國(guó)內(nèi)部分銅企冶煉工藝情況表4 國(guó)外部分銅企冶煉工藝情況
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)溫度范圍: 100 ~ 1100℃;波 動(dòng) 度: ±1℃;真 空 度: -0.1MPa;顯示精度: 1℃;爐膛尺寸: φ40/60/80/100***
在EPMA下觀察距探頭不同距離樣品的顯微組織分布發(fā)現(xiàn),未施加超聲的樣品Al2Cu相沿晶界呈連續(xù)的骨骼狀的分布;而施加450W超聲作用后,探頭下樣品的Al2Cu相出現(xiàn)明顯的破碎狀,沿晶界分布的長(zhǎng)條相細(xì)化為破碎的點(diǎn)狀相和塊狀相;距探頭1.5cm的樣品Al2Cu相雖未出現(xiàn)明顯的破碎,但與未加超聲試樣的組織對(duì)比,呈現(xiàn)了明顯的細(xì)化效果,第相連續(xù)性降低且尺寸減小。圖6 距探頭不同距離第相分布6 不同凝固時(shí)間施加超聲作用機(jī)理分析對(duì)比圖4和圖5可以發(fā)現(xiàn),對(duì)凝固時(shí)間為4 min的模擬鑄錠,在凝固的第1 min加超聲與在凝固后1 min施加超聲對(duì)晶粒的細(xì)化效果存在很大差異。原因主要是超聲作用區(qū)域的凝固狀態(tài)不同,固相率相差較大。對(duì)于連續(xù)鑄造過(guò)程來(lái)說(shuō),固相率不同意味著超聲作用于糊狀區(qū)的位置不同,而研究超聲探頭插入糊狀區(qū)的深度對(duì)指導(dǎo)連鑄過(guò)程超聲施加位置具有重要意義。為研究在連鑄過(guò)程中超聲探頭合理的插入深度,需要分析鑄錠中心區(qū)域的糊狀區(qū)分布及液相百分?jǐn)?shù)隨鑄錠高度的變化趨勢(shì)。由于超聲作用時(shí)間為1 min,根據(jù)拉坯速度及此區(qū)域的凝固時(shí)間,將糊狀區(qū)平均分為I、II、III、IV個(gè)區(qū)域,每個(gè)區(qū)域的高度約為5cm,即每分鐘鑄錠向下移動(dòng)的距離,見圖7。依照超聲作用區(qū)域及該區(qū)域固相率分析超聲作用差異原因,并探究適宜施加超聲的位置。
管式真空氣氛爐哪家好源頭廠家!新品(2024更新成功)(今日/服務(wù)), 圖3 不同鑄造方式制備A356鋁合金α-Al晶粒尺寸Al-Si共晶通常被認(rèn)為是不規(guī)則共晶,其生長(zhǎng)方式為面生長(zhǎng),用掃描電鏡對(duì)共晶Si相進(jìn)行進(jìn)一步觀察,見圖4。圖4a是PMC試樣的共晶Si相電鏡照片,由于α-Al基體不規(guī)律、不均勻的排布使得析出在其晶界上的共晶Si也明顯的偏析和集聚的問(wèn)題。共晶Si相呈現(xiàn)出的是尺寸較大的針狀或板片狀,分布在基體晶界處,嚴(yán)重地割裂基體。LSC試樣的共晶Si晶粒得到了較大程度的細(xì)化轉(zhuǎn)變?yōu)樾∑瑺詈烷L(zhǎng)桿狀(圖4b),但偏析現(xiàn)象依然存在。轉(zhuǎn)變漿料狀態(tài)為半固態(tài)后,見圖4c,SSC試樣的共晶Si相的尺寸明顯減小,邊緣明顯圓鈍,整體形狀彎曲,呈現(xiàn)出蠕蟲狀的形貌,說(shuō)明SSC過(guò)程中對(duì)共晶Si相產(chǎn)生了一定程度的球化。